SiC相關(guān)上市公司全名單，一次說(shuō)清楚！（2025/5/30）

據(jù)南方財(cái)富網(wǎng)概念查詢工具數(shù)據(jù)顯示，SiC相關(guān)上市公司有：

公司總股本2.89萬(wàn)股，流通A股1.26萬(wàn)股，每股收益-1.2元。

子公司擬以2500萬(wàn)美元參與ArthrosiC2輪融資并與其就兩項(xiàng)創(chuàng)新藥進(jìn)行合作。

總股本9.6萬(wàn)股，流通A股9.6萬(wàn)股，每股收益0.13元。

公司正在積極布局SiC及GaN產(chǎn)品，但由于目前第三代半導(dǎo)體成本及技術(shù)的限制，整體市場(chǎng)容量較小，IGBT及硅基MOS還有非常長(zhǎng)的生命周期，也非常看好未來(lái)幾年硅基產(chǎn)品的市場(chǎng)增長(zhǎng)。公司目前正在做第三代半導(dǎo)體的研發(fā)，不會(huì)止步于硅器件。

海特高新總股本7.57萬(wàn)股，流通A股6.84萬(wàn)股，每股收益0.1元。

公司在高性能集成電路設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域，已建成由國(guó)家發(fā)改委立項(xiàng)建設(shè)的國(guó)內(nèi)首條6吋化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線，芯片制程涵蓋GaAs（砷化鎵），GaN（氮化鎵），SiC（碳化硅），應(yīng)用覆蓋微波射頻及電力電子領(lǐng)域，已經(jīng)構(gòu)建了化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的芯片制造能力；公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化鎵）快充芯片，SiC（碳化硅）充電樁芯片性能上處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，并發(fā)布了自動(dòng)駕駛汽車激光雷達(dá)5G毫米波芯片工藝制程，發(fā)布了適用于新能源充電樁高效電能轉(zhuǎn)換的SiC（碳化硅）功率芯片制程。

總股本152.99萬(wàn)股，流通A股111.44萬(wàn)股，每股收益0.63元。

公司在海外投資的礦產(chǎn)資源項(xiàng)目有老撾萬(wàn)象平原鉀鹽礦項(xiàng)目(公司占70%)、和剛果(金)SICOMINES銅鈷礦項(xiàng)目(公司占20%)。其中，老撾萬(wàn)象平原鉀鹽礦項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資9469萬(wàn)美元(折合RMB59749萬(wàn)元)，目前，初勘工作全部結(jié)束，首期開(kāi)發(fā)年產(chǎn)12萬(wàn)噸可行性研究報(bào)告已獲國(guó)家發(fā)改委批準(zhǔn)，已著手建廠，可實(shí)現(xiàn)年銷售額3.6億元；中期年產(chǎn)100萬(wàn)噸和遠(yuǎn)期年產(chǎn)200萬(wàn)噸方案將循序進(jìn)行詳勘和可行性研究。截止2011年年末，該項(xiàng)目公司已投入5401萬(wàn)元，尚需投資7146萬(wàn)元(其余資金為銀行貸款)。SICOMINES銅鈷礦項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資32.4億美元，由中方企業(yè)集團(tuán)和剛方共同投資開(kāi)發(fā)，其中中方股份為68%。公司項(xiàng)目竣工投產(chǎn)后運(yùn)營(yíng)期19年。該銅鈷礦估算的整個(gè)礦區(qū)礦石量為2.2億噸。

總股本1.8萬(wàn)股，流通A股1.73萬(wàn)股，每股收益0.45元。

公司參股公司森國(guó)科(持股9.53%)主營(yíng)業(yè)務(wù)為碳化硅(SiC)功率器件設(shè)計(jì)及銷售，其目前主營(yíng)的第五代650V和1200VTMPS(ThinnedMPS)碳化硅二極管主要應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器、充電樁電源模塊、通信設(shè)備電源、5G微基站電源等多個(gè)大型領(lǐng)域。

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